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流延法制备低温烧结的高热导率AlN基片

吴音 缪卫国 周和平

无机材料学报1996，Vol.11Issue(4)：P.606-610,5.
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无机材料学报1996，Vol.11Issue(4)：P.606-610,5.

流延法制备低温烧结的高热导率AlN基片

吴音 1缪卫国 1周和平1

作者信息

  • 1. 清华大学材料科学与工程系
  • 折叠

摘要

关键词

低温烧结/流延法/热导率/氮化铝陶瓷/电子陶瓷

分类

化学化工

引用本文复制引用

吴音,缪卫国,周和平..流延法制备低温烧结的高热导率AlN基片[J].无机材料学报,1996,11(4):P.606-610,5.

基金项目

国家自然科学基金 （）

无机材料学报

OA北大核心CSCD

1000-324X

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