无机材料学报1998，Vol.13Issue(3)：P.345-349,5.
调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光
程兴奎 1CHINV.W.L. 2OSOTCHANT. 2TANSYEYT.L. 2VAUGHANM.R. 3GRIFFITHSG.J.3
作者信息
- 1. 山东大学光电材料与器件研究所,济南250100
- 2. Departmentofphysics,MacquarieUniversityNSW2109,Australia
- 3. CSIRODivisionofRadiophysicsEpping,NSW2121,Australia
- 折叠
摘要
关键词
调制掺杂/多量子阱/光致发光/半导体/结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
程兴奎,CHINV.W.L.,OSOTCHANT.,TANSYEYT.L.,VAUGHANM.R.,GRIFFITHSG.J...调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光[J].无机材料学报,1998,13(3):P.345-349,5.
