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氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

于映 陈抗生

真空电子技术Issue(2)：P.16-18,3.
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真空电子技术Issue(2)：P.16-18,3.

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

于映 1陈抗生1

作者信息

  • 1. 浙江大学信息与电子工程系
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摘要

关键词

氮化硅薄膜/PECVD

分类

信息技术与安全科学

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于映,陈抗生..氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究[J].真空电子技术,1996,(2):P.16-18,3.

真空电子技术

1002-8935

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