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深亚微米MOSFET模型研究进展

周浩华 姚立真 郝跃

电子科技Issue(2)：P.11-14,4.
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电子科技Issue(2)：P.11-14,4.

深亚微米MOSFET模型研究进展

周浩华 1姚立真 1郝跃1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学 西安电子科技大学微电子所 西安电子科技大学
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摘要

关键词

深亚微米/MOSFET/器件模型/集成电路/制造工艺

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周浩华,姚立真,郝跃..深亚微米MOSFET模型研究进展[J].电子科技,1997,(2):P.11-14,4.

电子科技

1007-7820

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