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离子注入a—si：H肖特基势垒的研究

惠恒荣 马秉仁

电子科技大学学报1989，Vol.18Issue(2)：184-189,6.
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电子科技大学学报1989，Vol.18Issue(2)：184-189,6.

离子注入a—si：H肖特基势垒的研究

惠恒荣 1马秉仁1

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摘要

关键词

氢化非晶硅/肖特基势垒/离子注入

分类

信息技术与安全科学

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惠恒荣,马秉仁..离子注入a—si：H肖特基势垒的研究[J].电子科技大学学报,1989,18(2):184-189,6.

电子科技大学学报

OACSCD

1001-0548

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