红外与毫米波学报1994，Vol.13Issue(1)：P.33-36,4.
MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性
程兴奎 1黄柏标 1徐现刚 1刘士文 1任红文 1蒋民华1
作者信息
- 1. 山东大学光电材料与器件研究所 山东大学晶体材料研究所
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摘要
关键词
多量子阱/子带/红外辐射/外延生长分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华..MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):P.33-36,4.
