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一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法

江南

电子器件1999，Vol.22Issue(1)：28-30,3.
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电子器件1999，Vol.22Issue(1)：28-30,3.

一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法

江南1

作者信息

  • 1. 东南大学电子工程系
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摘要

关键词

多晶硅/薄膜晶体管/陷阱态密度/数值积分

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

江南..一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法[J].电子器件,1999,22(1):28-30,3.

电子器件

OACSCD

1005-9490

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