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击穿电荷（QBD：监测E2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法
击穿电荷（QBD：监测E2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法
赵文彬
肖明
电子器件
1999，Vol.22
Issue(1)：22-27,6.
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电子器件
1999，Vol.22
Issue(1)
：22-27,6.
击穿电荷（QBD：监测E2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法
赵文彬
1
肖明
1
作者信息
1.
东南大学无锡分校
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摘要
关键词
存贮器
/
隧道氧化层
/
可擦写
/
E2PROM
/
QBD测试
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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赵文彬,肖明..击穿电荷（QBD：监测E2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法[J].电子器件,1999,22(1):22-27,6.
电子器件
OA
CSCD
ISSN：
1005-9490
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