物理学报1995，Vol.44Issue(5)：P.779-787,9.
δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究
沈文忠 1唐文国 1沈学础 1A.DIMOULAS2
作者信息
- 1. 中国科学院红外物理国家重点实验室,上海200083
- 2. Foundation
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摘要
关键词
赝形异质结/电子迁移率/InGaAs/砷化镓/晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
沈文忠,唐文国,沈学础,A.DIMOULAS..δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究[J].物理学报,1995,44(5):P.779-787,9.
