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GaAs/AlxGa1—xAs量子阱结构中束缚连续态红外吸收的理论分析

邸建华

发光快报Issue(6):40-45,6.
发光快报Issue(6):40-45,6.

GaAs/AlxGa1—xAs量子阱结构中束缚连续态红外吸收的理论分析

邸建华1

作者信息

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摘要

关键词

量子阱/束缚态/红外辐射/砷化镓

分类

信息技术与安全科学

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邸建华..GaAs/AlxGa1—xAs量子阱结构中束缚连续态红外吸收的理论分析[J].发光快报,1993,(6):40-45,6.

发光快报

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