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GaAs/AlxGa1—xAs量子阱结构中束缚连续态红外吸收的理论分析
GaAs/AlxGa1—xAs量子阱结构中束缚连续态红外吸收的理论分析
邸建华
发光快报
Issue(6):40-45,6.
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发光快报
Issue(6)
:40-45,6.
GaAs/AlxGa1—xAs量子阱结构中束缚连续态红外吸收的理论分析
邸建华
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摘要
关键词
量子阱
/
束缚态
/
红外辐射
/
砷化镓
分类
信息技术与安全科学
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邸建华..GaAs/AlxGa1—xAs量子阱结构中束缚连续态红外吸收的理论分析[J].发光快报,1993,(6):40-45,6.
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