纳米半导体硅（nc-Si：H）薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元组成：纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组无，即晶态相和晶界相组成.这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。
作者：李玉铭;李山东;林鸿溢
作者单位：哈尔滨理工大学,哈尔滨150080哈尔滨理工大学,哈尔滨150080北京理工大学电子工程系,北京100081
分类：电子信息工程
中文关键词：纳米半导体量子功能器件半导体薄膜
刊名：《物理化学学报》 1997 (11)
页码/页数：P.1052-1056,5
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