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硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究

赵杰 魏同立 张安康 赵梦碧

东南大学学报:自然科学版1997,Vol.27Issue(4):P.38-43,6.
东南大学学报:自然科学版1997,Vol.27Issue(4):P.38-43,6.

硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究

赵杰 1魏同立 1张安康 1赵梦碧1

作者信息

  • 1. 东南大学微电子中心 中国华晶电子集团理化分析中心
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摘要

关键词

界面/热载流子/硅栅MOS结构/Poly-硅/二氧化硅

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵杰,魏同立,张安康,赵梦碧..硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究[J].东南大学学报:自然科学版,1997,27(4):P.38-43,6.

东南大学学报:自然科学版

OA北大核心CSCD

1001-0505

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