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发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

季振国 陈立登 马向阳 姚鸿年 阙端麟

物理学报1995，Vol.44Issue(1)：P.57-63,7.
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物理学报1995，Vol.44Issue(1)：P.57-63,7.

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

季振国 1陈立登 1马向阳 1姚鸿年 1阙端麟1

作者信息

  • 1. 浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,杭州310027
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摘要

关键词

发光多孔硅/X射线/光电子能谱/深度剖析

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

季振国,陈立登,马向阳,姚鸿年,阙端麟..发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析[J].物理学报,1995,44(1):P.57-63,7.

基金项目

国家自然科学基金资助的课题. （）

物理学报

OA北大核心CSCD

1000-3290

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