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多孔硅的电荷存贮现象

温庆祥 罗宗铁

发光学报1993，Vol.14Issue(2)：P.203-205,3.
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发光学报1993，Vol.14Issue(2)：P.203-205,3.

多孔硅的电荷存贮现象

温庆祥 1罗宗铁1

作者信息

  • 1. 中国科学院长春物理研究所,长春130021
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摘要

关键词

多孔硅/电荷储存/充电

分类

数理科学

引用本文复制引用

温庆祥,罗宗铁..多孔硅的电荷存贮现象[J].发光学报,1993,14(2):P.203-205,3.

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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