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西安电子科技大学学报
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SiC/Si异质生长的研究
SiC/Si异质生长的研究
朱作云
李跃进
西安电子科技大学学报
1997,Vol.24
Issue(1):122-125,4.
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西安电子科技大学学报
1997,Vol.24
Issue(1)
:122-125,4.
SiC/Si异质生长的研究
朱作云
1
李跃进
1
作者信息
1.
西安电子科技大学微电子研究所
折叠
摘要
关键词
APCVD
/
异质外延
/
缓冲层
/
半导体材料
/
碳化硅
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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朱作云,李跃进..SiC/Si异质生长的研究[J].西安电子科技大学学报,1997,24(1):122-125,4.
基金项目
军事电子预研基金 ()
西安电子科技大学学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN:
1001-2400
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