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双元素掺杂的a-Si∶H光电特性研究

吴召平 曹立辉 张干城

无机材料学报1992，Vol.7Issue(4)：P.460-465,6.
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无机材料学报1992，Vol.7Issue(4)：P.460-465,6.

双元素掺杂的a-Si∶H光电特性研究

吴召平 1曹立辉 1张干城1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 折叠

摘要

关键词

非晶硅/掺杂剂/静电复印/残余电压

分类

信息技术与安全科学

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吴召平,曹立辉,张干城..双元素掺杂的a-Si∶H光电特性研究[J].无机材料学报,1992,7(4):P.460-465,6.

无机材料学报

OA北大核心CSCD

1000-324X

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