北京师范大学学报：自然科学版1992，Vol.28Issue(4)：P.478-482,5.
BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响
李国辉 1韩德俊 1陈如意 1罗晏 1刘伊犁 1姬成周 1朱红清 1王策寰2
作者信息
- 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京新外大街100875
- 2. 中国科学院半导体研究所,北京海淀区肖庄100083
- 折叠
摘要
关键词
砷化镓/离子注入/硅离子分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李国辉,韩德俊,陈如意,罗晏,刘伊犁,姬成周,朱红清,王策寰..BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响[J].北京师范大学学报：自然科学版,1992,28(4):P.478-482,5.
