北京师范大学学报：自然科学版1992，Vol.28Issue(4)：P.472-477,6.
B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究
刘伊犁 1罗晏 1李国辉 1姬成周1
作者信息
- 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京新外大街100875
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摘要
关键词
离子注入/砷化镓/硼离子分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘伊犁,罗晏,李国辉,姬成周..B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究[J].北京师范大学学报：自然科学版,1992,28(4):P.472-477,6.基金项目
国家自然科学基金 （）
中国科学院半导体研究所材料开放实验室资助项目 （）
