北京师范大学学报：自然科学版1992，Vol.28Issue(4)：P.461-466,6.
MeV硅、氧离子注入SI-GaAs形成相互隔离的双导电层
成步文 1李国辉 1姬成周 1王文勋2
作者信息
- 1. 北京师范大学低能核物理研究所
- 2. 北京师范大学分析测试中心,北京新外大街100875
- 折叠
摘要
关键词
离子注入/双导电层/砷化镓/硅分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
成步文,李国辉,姬成周,王文勋..MeV硅、氧离子注入SI-GaAs形成相互隔离的双导电层[J].北京师范大学学报：自然科学版,1992,28(4):P.461-466,6.
