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具有N＋—i—P型发射结的AlGaAs／GaAsHBT的漏电特性

魏东平 周均铭

北京师范大学学报：自然科学版1992，Vol.28Issue(4)：467-471,5.
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北京师范大学学报：自然科学版1992，Vol.28Issue(4)：467-471,5.

具有N＋—i—P型发射结的AlGaAs／GaAsHBT的漏电特性

魏东平 1周均铭1

作者信息

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摘要

关键词

HBT/发射结/铝镓砷/砷化镓

分类

信息技术与安全科学

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魏东平,周均铭..具有N＋—i—P型发射结的AlGaAs／GaAsHBT的漏电特性[J].北京师范大学学报：自然科学版,1992,28(4):467-471,5.

北京师范大学学报：自然科学版

OACSCD

0476-0301

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