北京师范大学学报：自然科学版1992，Vol.28Issue(4)：P.563-564,2.
高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用
韩德俊 1李国辉 1王琦 1韩卫1
作者信息
- 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京新外大街100875
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摘要
关键词
高能注入/砷化镓/MESFET分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
韩德俊,李国辉,王琦,韩卫..高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用[J].北京师范大学学报：自然科学版,1992,28(4):P.563-564,2.
