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离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

俞跃辉 林成鲁

物理学报1989，Vol.38Issue(12)：1996-2002,7.
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物理学报1989，Vol.38Issue(12)：1996-2002,7.

离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

俞跃辉 1林成鲁1

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摘要

关键词

离子注入/SOI结构/界面/埋层/能谱

分类

信息技术与安全科学

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俞跃辉,林成鲁..离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究[J].物理学报,1989,38(12):1996-2002,7.

物理学报

OACSCD

1000-3290

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