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α—Si：H掺杂机理的研究

戴国才 关大任

物理学报1989，Vol.38Issue(5)：829-833,5.
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物理学报1989，Vol.38Issue(5)：829-833,5.

α—Si：H掺杂机理的研究

戴国才 1关大任1

作者信息

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摘要

关键词

半导体材料/α－Si：H/掺杂机理

分类

信息技术与安全科学

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戴国才,关大任..α—Si：H掺杂机理的研究[J].物理学报,1989,38(5):829-833,5.

物理学报

OACSCD

1000-3290

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