金属硅化物—硅功率肖特基二极管OA北大核心CSCD

本文用X射线衍射(XRD)方法、俄歇电子能谱(AES)分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi_2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi_2/n-Si三种肖特基势垒二极管特性,其势垒高度分别为0.61eV、0.66eV和0.66eV,理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物—n型硅肖特基功率二极管有优异的电学性能。