|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|真空电子技术|RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

程宇航 吴一平

真空电子技术Issue(4)：17-22,6.
✕
真空电子技术Issue(4)：17-22,6.

RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

程宇航 1吴一平1

作者信息

  • 1. 华中理工大学材料系
  • 折叠

摘要

关键词

RF－PECVD/类金刚石碳膜/等离子体反应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

程宇航,吴一平..RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理[J].真空电子技术,1997,(4):17-22,6.

真空电子技术

1002-8935

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文