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高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型

刘光廷

电子器件1995，Vol.18Issue(2)：P.65-75,11.
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电子器件1995，Vol.18Issue(2)：P.65-75,11.

高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型

刘光廷1

作者信息

  • 1. 东南大学电子工程系
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摘要

关键词

高压/功率MOS器件/终端/结构/物理/模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘光廷..高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型[J].电子器件,1995,18(2):P.65-75,11.

电子器件

1005-9490

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