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射频功率对反应溅射淀积的a－Ge：H薄膜特性的影响

王辉耀 王印月 张仿清

无机材料学报1994，Vol.9Issue(2)：P.139-143,5.
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无机材料学报1994，Vol.9Issue(2)：P.139-143,5.

射频功率对反应溅射淀积的a－Ge：H薄膜特性的影响

王辉耀 1王印月 1张仿清1

作者信息

  • 1. 兰州大学物理系
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摘要

关键词

锗/射频功率/薄膜/无定形半导体

分类

信息技术与安全科学

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王辉耀,王印月,张仿清..射频功率对反应溅射淀积的a－Ge：H薄膜特性的影响[J].无机材料学报,1994,9(2):P.139-143,5.

无机材料学报

OA北大核心CSCD

1000-324X

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