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电子科技大学学报
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硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究
硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究
胡思福
Green,M
电子科技大学学报
1991，Vol.20
Issue(2)：162-168,7.
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电子科技大学学报
1991，Vol.20
Issue(2)
：162-168,7.
硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究
胡思福
1
Green,M
1
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摘要
关键词
离子刻蚀
/
均匀性
/
硅氧化物
/
等离子
分类
信息技术与安全科学
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胡思福,Green,M..硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究[J].电子科技大学学报,1991,20(2):162-168,7.
电子科技大学学报
OA
CSCD
ISSN：
1001-0548
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