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VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

马永良 黄英

电子器件1998，Vol.21Issue(2)：113-117,5.
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电子器件1998，Vol.21Issue(2)：113-117,5.

VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

马永良 1黄英1

作者信息

  • 1. 中国华晶电子集团公司中央研究所
  • 折叠

摘要

关键词

CVD/TEOS/二氧化硅/VLSI

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马永良,黄英..VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积[J].电子器件,1998,21(2):113-117,5.

电子器件

1005-9490

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