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电子科技
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多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响
多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响
李存志
刘云鹏
罗恩泽
梁昌洪
电子科技
Issue(4):P.41-45,5.
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电子科技
Issue(4)
:P.41-45,5.
多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响
李存志
1
刘云鹏
1
罗恩泽
1
梁昌洪
1
作者信息
1.
西安电子科大物理系 西安电子科大物理系
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摘要
关键词
电子共振隧穿
/
多量子阱系统
/
电子能量
分类
数理科学
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李存志,刘云鹏,罗恩泽,梁昌洪..多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响[J].电子科技,1996,(4):P.41-45,5.
电子科技
ISSN:
1007-7820
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