|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|真空电子技术|多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

常本康 刘元震

真空电子技术Issue(1)：P.13-16,4.
✕
真空电子技术Issue(1)：P.13-16,4.

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

常本康 1刘元震1

作者信息

  • 1. 华东工学院光电技术系
  • 折叠

摘要

关键词

光电阴极/光吸收/多晶半导体

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

常本康,刘元震..多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究[J].真空电子技术,1994,(1):P.13-16,4.

真空电子技术

OA北大核心

1002-8935

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文