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In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究

王晓亮 孙殿照

红外与毫米波学报1997，Vol.16Issue(1)：1-6,6.
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红外与毫米波学报1997，Vol.16Issue(1)：1-6,6.

In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究

王晓亮 1孙殿照1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所
  • 折叠

摘要

关键词

分子束外延/量子阱/光致发光/镓砷铟/磷化铟

分类

信息技术与安全科学

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王晓亮,孙殿照..In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(1):1-6,6.

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCD

1001-9014

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