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化合物半导体CdSe和ZnSe材料的状态密度

刘贵立 张国英 黄和鸾

辽宁大学学报:自然科学版1995,Vol.22Issue(4):P.43-46,4.
辽宁大学学报:自然科学版1995,Vol.22Issue(4):P.43-46,4.

化合物半导体CdSe和ZnSe材料的状态密度

刘贵立 1张国英 1黄和鸾1

作者信息

  • 1. 沈阳工业大学基础部,东北微电子研究所,辽宁大学电子科学与工程系
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摘要

关键词

状态密度/费米能级/化合物半导体/硒化镉/硒化锌

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘贵立,张国英,黄和鸾..化合物半导体CdSe和ZnSe材料的状态密度[J].辽宁大学学报:自然科学版,1995,22(4):P.43-46,4.

基金项目

省教委科学基金 ()

辽宁大学学报:自然科学版

1000-5846

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