| 注册
首页|期刊导航|无机材料学报|渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究

渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究

马瑾 陆大荣

无机材料学报1991,Vol.6Issue(2):219-223,5.
无机材料学报1991,Vol.6Issue(2):219-223,5.

渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究

马瑾 1陆大荣1

作者信息

  • 折叠

摘要

关键词

a-Si:H/a-SiC:H/薄膜/渐变膜

分类

数理科学

引用本文复制引用

马瑾,陆大荣..渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究[J].无机材料学报,1991,6(2):219-223,5.

无机材料学报

OACSCD

1000-324X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文