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无机材料学报
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渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究
渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究
马瑾
陆大荣
无机材料学报
1991,Vol.6
Issue(2):219-223,5.
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无机材料学报
1991,Vol.6
Issue(2)
:219-223,5.
渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究
马瑾
1
陆大荣
1
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摘要
关键词
a-Si:H
/
a-SiC:H
/
薄膜
/
渐变膜
分类
数理科学
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马瑾,陆大荣..渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究[J].无机材料学报,1991,6(2):219-223,5.
无机材料学报
OA
CSCD
ISSN:
1000-324X
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