直接光CVD法低温生长SiO＿2薄膜技术及其应用OA北大核心CSCD
使用自制的微波激励式真空紫外光化学汽相淀积设备，以硅烷和氧为反应气体，在３２～２２０℃的低温下，成功地淀积出了优质实用的ＳｉＯ＿２薄膜；测试结果表明，淀积膜的组分结构、主要光学及电学特性均与高温生长膜的相符，将该技术应用于某些晶体管及热敏打印元件的制作工艺中，已取得了明显的实用效果。
杜开瑛;龙学精;刘勇;林中军;梁伯勋;刘文海
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数理科学
直接光CVD法二氧化硅薄膜
《四川大学学报：自然科学版》 1994 (4)
P.465-470,6
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