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对接沟道NMOS结构击穿特性的二维数值分析

徐维锋 曹广军

华中理工大学学报1998，Vol.26Issue(1)：88-90,3.
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华中理工大学学报1998，Vol.26Issue(1)：88-90,3.

对接沟道NMOS结构击穿特性的二维数值分析

徐维锋 1曹广军1

作者信息

  • 1. 华中理工大学固体电子学系
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摘要

关键词

功率集成电路/VDMOS/数值模拟/击穿特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐维锋,曹广军..对接沟道NMOS结构击穿特性的二维数值分析[J].华中理工大学学报,1998,26(1):88-90,3.

华中理工大学学报

OA北大核心

1000-8616

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