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用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质

丁琨 李国华 韩和相 汪兆平

红外与毫米波学报1999，Vol.18Issue(6)：P.417-422,6.
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红外与毫米波学报1999，Vol.18Issue(6)：P.417-422,6.

用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质

丁琨 1李国华 1韩和相 1汪兆平1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083
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摘要

关键词

纳米硅/离子注入/热退火/光致发光/二氧化硅层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

丁琨,李国华,韩和相,汪兆平..用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质[J].红外与毫米波学报,1999,18(6):P.417-422,6.

基金项目

国家自然科学基金!(编号: 69577017) （编号: 69577017）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDSCI

1001-9014

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