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基于80C196KC的可控硅触发电路设计

汪德彪 李膺 叶文

重庆工业高等专科学校学报2000,Vol.15Issue(3):P.37-40,5.
重庆工业高等专科学校学报2000,Vol.15Issue(3):P.37-40,5.

基于80C196KC的可控硅触发电路设计

汪德彪 1李膺 1叶文1

作者信息

  • 1. 重庆工业高等专科学校,重庆400050
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摘要

关键词

80C196KC单片机/可控硅/触发脉冲/触发电路设计

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

汪德彪,李膺,叶文..基于80C196KC的可控硅触发电路设计[J].重庆工业高等专科学校学报,2000,15(3):P.37-40,5.

重庆工业高等专科学校学报

1009-3494

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