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高Tc SIS器件I—V特性的研究

胡渝 冯稷

电子科技大学学报Issue(6)：6.
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电子科技大学学报Issue(6)：6.

高Tc SIS器件I—V特性的研究

胡渝 1冯稷1

作者信息

  • 1. 电子科技大学应用物理所
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摘要

关键词

超导/高Tc/SIS器件/有限温度/I-V特性

分类

信息技术与安全科学

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胡渝,冯稷..高Tc SIS器件I—V特性的研究[J].电子科技大学学报,1989,(6):6.

电子科技大学学报

OACSCD

1001-0548

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