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高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析

孙孝峰 金晓毅 邬伟扬 吴俊娟

中国电机工程学报2008,Vol.28Issue(12):101-106,6.
中国电机工程学报2008,Vol.28Issue(12):101-106,6.

高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析

Analysis of Energy-band Structure and Switching Characteristics of IGBT Under High Frequency Sinusoidal Current

孙孝峰 1金晓毅 1邬伟扬 1吴俊娟1

作者信息

  • 1. 燕山大学电气工程学院,河北省,秦皇岛市,066004
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摘要

关键词

能带理论/零电流开关/开关动态特性/功率半导体器件/电压过冲/串联谐振

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙孝峰,金晓毅,邬伟扬,吴俊娟..高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析[J].中国电机工程学报,2008,28(12):101-106,6.

基金项目

国家自然科学基金项目(50237020). (50237020)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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