无机材料学报2001，Vol.16Issue(5)：1015-1018,4.
热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响
Influence of Annealing on Electron Field Emission from AIN Films Prepared by RF Reactive Sputtering
邵乐喜 1刘小平 1谢二庆 2贺德衍 2陈光华3
作者信息
- 1. 湛江师范学院物理系
- 2. 兰州大学物理科学与技术学院
- 3. 北京工业大学材料科学与工程学院
- 折叠
摘要
关键词
AlN薄膜/场电子发射/热退火/滞后分类
数理科学引用本文复制引用
邵乐喜,刘小平,谢二庆,贺德衍,陈光华..热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响[J].无机材料学报,2001,16(5):1015-1018,4.
