若干年来，我们对于出现在Ａｌ－Ｃｕ和Ａｌ－Ｍｇ系中的表现正常和反常振幅效应的坐落在室温附近的内耗峰进行了系统研究，测得的激活能接近于溶质原子在位错管道中扩散的激活能，从而认为内耗峰的基本过程是溶质原子在位错芯内的扩散，并且提出卫根据位错弯结模型的物理图像。在７０年代，Ｗｉｎｄｌｅｒ－Ｇｎｉｅｗｅｋ等根据弦模型对于位错芯内的扩散进行了理论计算，推导出描述内耗行为的数学表达式与我们的实验结果有许多相似
作者：葛庭燧
作者单位：
中文关键词：位错芯区晶体滞弹性内耗峰非线性
刊名：《ACTA PHYSICA SINICA》 1996 (6)
页码/页数：1016-1025,10
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