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基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件

刘道广 郝跃 徐世六 李开成 李培咸 张晓菊 张金凤 郑雪峰 张静 刘嵘侃 刘伦才

半导体学报2005，Vol.26Issue(1)：102-105,4.
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半导体学报2005，Vol.26Issue(1)：102-105,4.

基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件

Self-Aligned SiGe HBT Based on Dry-Wet Etching

刘道广 1郝跃 2徐世六 3李开成 1李培咸 2张晓菊 3张金凤 2郑雪峰 3张静 1刘嵘侃 1刘伦才1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,西安,710071
  • 2. 中国电子科技集团电子24所,重庆,400060
  • 3. 国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060
  • 折叠

摘要

关键词

自对准/SiGe材料/干/湿法腐蚀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘道广,郝跃,徐世六,李开成,李培咸,张晓菊,张金凤,郑雪峰,张静,刘嵘侃,刘伦才..基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J].半导体学报,2005,26(1):102-105,4.

基金项目

国防预研基金资助项目(批准号:99JS09.2.6.DZ3403) （批准号:99JS09.2.6.DZ3403）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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