| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

张永明 钟景昌 赵英杰 郝永芹 李林 王玉霞 苏伟

半导体学报2005,Vol.26Issue(5):1024-1027,4.
半导体学报2005,Vol.26Issue(5):1024-1027,4.

850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

Temperature Characteristics of 850nm Oxide Confined VCSELs

张永明 1钟景昌 1赵英杰 1郝永芹 1李林 1王玉霞 1苏伟1

作者信息

  • 1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
  • 折叠

摘要

关键词

垂直腔面发射激光器/氧化物限制/温度特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张永明,钟景昌,赵英杰,郝永芹,李林,王玉霞,苏伟..850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性[J].半导体学报,2005,26(5):1024-1027,4.

基金项目

兵器工业总公司"十五"支撑资助项目 ()

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文