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Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能

张继军 介万奇

半导体学报2006,Vol.27Issue(6):1026-1029,4.
半导体学报2006,Vol.27Issue(6):1026-1029,4.

Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能

Growth and Properties of Cd0.8 Mn0.2 Te Crystal

张继军 1介万奇1

作者信息

  • 1. 西北工业大学材料学院,西安,710072
  • 折叠

摘要

关键词

Cd0.8Mn0.2Te/X射线衍射/红外透过率/电阻率/紫外-可见-近红外光光谱

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张继军,介万奇..Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能[J].半导体学报,2006,27(6):1026-1029,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号 ()

50336040) ()

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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