半导体学报2001，Vol.22Issue(8)：1030-1034,5.
在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异
Difference Between GaN Films Grown on Two Opposite Oriented c-Al2O3 Substrates
韩培德 1段晓峰 2孙家龙 3张泽 2王占国1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,
- 2. 中国科学院凝聚态物理中心,北京电子显微镜实验室,
- 3. 天津市半导体技术研究所,天津市理化分析中心,
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摘要
关键词
极性/GaN/MOVPE/微观结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
韩培德,段晓峰,孙家龙,张泽,王占国..在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异[J].半导体学报,2001,22(8):1030-1034,5.
