物理学报2007，Vol.56Issue(2)：1036-1040,5.
Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究
Studies on electrical properties of delta-doping p-GaN films
摘要
关键词
氮化镓/LEDs/MOCVD/Delta掺杂分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李彤,沈光地,王怀兵,刘建平,牛南辉,张念国,邢艳辉,韩军,刘莹,高国..Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究[J].物理学报,2007,56(2):1036-1040,5.基金项目
家自然科学基金(批准号:60506012)和北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003)资助的课题. （批准号:60506012）
