物理学报2008，Vol.57Issue(2)：1037-1042,6.
低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响
Effect of ramping from low temperatures on oxygen precipitation in Czochralski silicon
摘要
关键词
直拉硅/氧沉淀/退火分类
数理科学引用本文复制引用
崔灿,马向阳,杨德仁..低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响[J].物理学报,2008,57(2):1037-1042,6.基金项目
教育部创新团队和新世纪优秀人才支持计划、国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2007CB6130403)和浙江理工大学科研启动基金(批准号:0613265-Y)资助的课题. （973）
