电离辐射所致染色体畸变形成机理研究OACSTPCD

染色体畸变为正常染色体在物理、化学或生物等因素作用下发生的结构和数目的异常.前者是有丝分裂机制被损伤的结果,后者是染色体断裂和变位重接的产物.染色体数目变化在染色体病、遗传病及肿瘤的诊断具有重要意义.电离辐射一般不引起染色体数日的变化,在辐射远后期效应研究中,1994年Ohtaki等用G显带方法观察264名原爆幸存者的体细胞染色体畸变,发现非整倍体频率与照射剂量大小无剂量关系.通过数十年的细胞遗传学的研究证实,染色体畸变分析除可作为生物剂量估计…查看全部>>