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GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用

顾彪 王三胜 徐茵 秦福文 窦宝锋 常久伟 邓祥 杨大智

高技术通讯2002，Vol.12Issue(3)：104-110,7.
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高技术通讯2002，Vol.12Issue(3)：104-110,7.

GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用

GaN-based Semiconductor Materials and Its Applications in Short Wavelength Optoelectronic Devices

顾彪 1王三胜 1徐茵 1秦福文 1窦宝锋 2常久伟 2邓祥 2杨大智3

作者信息

  • 1. 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连,116024大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
  • 2. 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连,116024
  • 3. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024大连理工大学材料科学与工程系,大连,116024
  • 折叠

摘要

关键词

GaN,材料性质、外延生长、半导体器件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

顾彪,王三胜,徐茵,秦福文,窦宝锋,常久伟,邓祥,杨大智..GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用[J].高技术通讯,2002,12(3):104-110,7.

基金项目

863计划(863-715-011-0033)和国家自然科学基金(69976008)资助项目. （863-715-011-0033）

高技术通讯

OACSCDCSTPCD

1002-0470

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